李志坚

李志坚 - 简介

李志坚浙江宁波人，1951年毕业于浙江大学物理系。1958年获苏联列宁格勒大学物理－数学副博士学位。1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了国内有关的研究和生产。1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括：系统芯片集成和微电子机械技术。

在清华大学无线电电子学系任教，历任半导体教研组主任、微电子学研究副所长、所长，对半导体专业和微电子所的建设和发展做出了很大的贡献。李院士在1950年代提出了半导体薄膜电导的晶粒间界电子势垒模型，60年代前后在硅材料和晶体管研究方面、70年代前后在VLSI研究等方面均取得了令人瞩目的成就，1990年研制成1μ汉字ROMVLSI。这些成果代表了当时中国IC技术的最先进水平。李志坚院士的人生历程，与中国微电子学科的发展进程，与清华大学微电子所的创建和发展息息相连。他是清华半导体专业和微电子学学科的主要创建人和学术带头人之一，今天的微电子所就是在此基础上发展起来的。

李志坚 - 采访手记

在采访李志坚院士前，记者以为，一位曾经受过文革磨难的老科学家，会如一叶孤帆远离喧嚣的港湾，对于其研究领域外的“世事”，即使还“敏于行”，但一定会“讷于言”。

但让记者吃惊的是，李志坚院士和记者的想像反差比较大。他说话严谨却绝非慢条斯理，对学术界、科技界由浮躁风气和体制不完善所滋生的“造假”与“夸大”知无不言，而且一针见血。

“‘汉芯造假’和当事者人品有关，他必将遭到法律的制裁。”李志坚说，“但最值得引起我们警惕和思考的是，不是一次造假，而是几次造假;受骗投钱的不是某一个部委，而是几个部委员和政府机关，体制缺陷和追求政绩者心态浮躁是‘造假’滋生的根源。”

在李志坚看来，如果没有一个科学的体制和机制，科学发展观将很难落到实处，而成为一句空话。“落实科学发展观是非常有必要的，且任重道远。”

作为一位在高科技领域奋战几十年的老兵，78岁的李志坚认为，做学问一定要沉得住气，耐得住寂寞，耐得住清贫。李老几十年如一日的学习道路已充分证实了这一点。

在日寇入侵时期，李志坚随家人逃到了鄞县陶公山里，坚持自学，日寇投降后，他居然考入了高中;1953年，李志坚去列宁格勒大学留学时，师从著名科学家列比捷夫，没学过俄语的他，硬是把老师给的一批书啃下，半年后通过了语言专业考试。在文革时期下放到绵阳期间，李志坚还是没有放下他所专注的半导体专业，坚持看书学习。

提起自己的某个学生，没有坚持到出科技成果的那一天，为追求高收入，匆匆投身到一家外企，李志坚唏嘘不已。事实上，在清华的几十年，李志坚在为我国的半导体和微电子事业中做出卓越贡献的同时，一直在呕心沥血地为祖国培养了一大批栋梁之材。

从清华大学建立起微电子专业起，李志坚一直坚持担任“半导体物理”的主讲老师，这是半导体专业大学生的专业基础课，他还指导、培养了一批又一批的硕士生、博士生，可谓桃李满天下，而且名师出高徒，他有两位学生已当选为中国科学院院士。

“大智在德”，这是记者在反复听李志坚院士谈话录音时，在脑海中不断涌现的一个词。

李志坚 - 八十华诞座谈会

清华大学微电子所教授、中国科学院院士李志坚80寿辰座谈会在微电子所举行。校长顾秉林院士，副校长陈旭教授，信息学院院长孙家广院士，以及学校有关单位和微电子所师生代表约60人出席座谈会。

李志坚院士1958年从苏联学成来到清华，从那时起，李先生就和清华半导体专业早期的创办者南德恒、王天爵等先辈们一起为清华半导体专业的建立、清华微电子学科的发展殚精竭虑，呕心沥血，至今已整整半个世纪。

顾秉林校长和陈旭副校长在座谈会上讲话，他们高度评价了李志坚教授对我国半导体和微电子学科的卓越贡献，向李先生80华诞表示热烈祝贺。

微电子所所长许军向李先生致生日贺词，他说，李志坚院士桃李满天下，他的学生中有成绩斐然的专业学者，如中科院微电子所的吴德馨院士和中科院半导体所的郑厚植院士；也有后来居上的中青年业界精英人物，如创办展讯通信有限公司并获国家科技进步一等奖的陈大同博士和数次担任国家科技部973项目首席科学家的中科院微电子系统所王跃博士。在古稀之年，李先生仍然奋斗在教学、科研、人才培养的第一线，是我们大家学习的好榜样。

李志坚教授致答谢词，他感谢大家对他的支持和厚爱，表示将以“自强不息，厚德载物”的清华精神，努力继续和大家一起为清华微电子学科的发展献力。

顾秉林校长和李志坚院士同切生日蛋糕，与会人员一起同唱生日快乐歌。许多老教师还回忆起，在上世纪50年代末，李先生与南徳恒教授等人带领一批青年教师，从无到有，在清华建成了当时国内第一个工科半导体专业；他又长期担任微电子所的主要学科带头人，带领大家积极进取，努力奋斗，建成了今天的微电子所。大家对李院士高尚的人品、精深的学识表达了由衷的钦佩。

李志坚院士虽已八十高龄，仍然在教学第一线上工作，兢兢业业。1979年被评为北京市劳动模范和全国劳动模范；1984年被评为国家级有突出贡献的专家1998年获陈嘉庚奖；2000年获何梁何利科学与技术进步奖；他还先后多次获得国家和部委发明奖及技术进步奖。

李志坚 - 发展自主的IT业

中国发展IT业的优势有三：广阔的现实和潜在市场、优秀而廉价的劳动力、国家制定的许多优惠政策。这些也是当前众多的IT跨国公司蜂拥而来(不仅开企业而且办研究院)的原因。

拥有先进技术和管理的大公司的进入，对于提高中国IT业总体水平是有好处的，应该受到欢迎。但是必须时刻注意加速发展自主的技术和产业，不能坐视关键性的和一些核心的产品长期不能自主制造，而大部分的中国IT企业仅为“装配线”的现状长期下去。一个信息化强国没有先进的信息技术，就不可能有自主而坚强的IT产业，而且不可能持续发展，其安全也难以保证。当前，要高速发展我国自主的IT产业难度很大，但是机会仍很多。我们要充分利用优势，尽快克服自己目前的缺点(包括技术水平和管理，经营经验)，制定一个细致的实现计划。

国家为经济和社会的信息化将投入相当资金。这是促进中国IT业发展的一个大好机会。不能把这个市场简单地让给外商，要尽量自己搞，用以促进中国IT水平和IT产业发展。因为经验不足，自己做可能会慢一些，可以与外商合作，保留自主权。信息系统要不断更新，信息安全更是重要，自主开发比较有保证。自主开发促进了自己的技术进步和产业发展，后者的收益又可支持信息化的持续发展，做到两全其美。如果安排得法，中国的软件、硬件和网络技术及产业就能得到一次较大的发展机会。

中国各有关部门非常重视IT研发。在国家自然科学基金，863计划和一些专项中都有安排，投入也逐年加大。但目前IT研发也存在一些问题：首先是层次不够清楚。一个大一些的项目，无论在哪一层次，常有从基础研究到产品样品开发无所不包的情况；其次是不管现实情况，要求过急；再次是力量分散，存在低水平重复和人力物力浪费现象。

科技成果少，管理水平低是中国IT业的主要弱点。科技不加速发展，中国的自主IT业是发展不起来的，对此一定要有紧迫感。科技发展必须跨越，创新，但是有些基础性和必须过硬的工艺等问题是绕不过去的，一定要踏踏实实解决，不然，会事倍功半。

对以上存在的问题，最好的解决办法是实现决策的真正民主化，多听取专家的意见。此外，产品开发，试生产等一类生产性活动，科技领导部门似不宜直接介入，要鼓励企业参与、主持，以产学研结合方式去做。政府可在税务政策等方面鼓励新产品及其市场开发。对于关键产品和其市场的研发，国家可以适当投资鼓励开办新企业。IT科技研发主要目标是提出新思路，弄清“怎么做”和“为什么”，在一些基本、关键问题上有所突破，取得一批知识产权，为高速发展中国IT产业打好基础。

加大力度引进人才人才，主要是技术，经营管理方面有经验的领军人物的缺乏，是中国发展IT产业的又一个主要弱点。现时，国际IT公司来中国，一般只带来一部分技术和经营管理骨干。其他人员全是中国培养的。有趣的是，这些高级人员中，大多数又是华人，过去港台出去及国内出去的留学生，形成了外国资本雇佣中国人与中国人争夺中国市场的现状。目前在美国等地领先的IT企业中，已有一批相当数量的，中国改革开放以后出国的留学生，他们中不少人已成为有经验的骨干或领导。如何加大力度，把其中一部分有针对性地请回来，到中国发展，这对加速中国IT业发展有十分重要的意义。政府为此要有一个计划，要创造非常优越的生活和工作条件，使他们有充分的发展空间。

号召留学生回国效力，国家和地方已出台了不少优惠政策，也已有不少的人回来了。然而，他们中不少人分散在全国各地名目繁多的开发区中，开设了一批如IC设计，软件开发等小公司。他们不了解中国情况与美国等有很大差别，因而遇到不少困难。国家应该引导他们相对集中起来，做大事。但是，当务之急还是要大力引进一批能领军的优秀分子。

李志坚 - 成就

1958年获物理-数学副博士学位。同年回国后，到清华大学工作至今。1991年当选为中国科学院院士。现任清华大学信息学院和微电子所委员会主任，国务院学位委员会学科评议组成员，中国电子学会半导体分会副理事长，以及几个国家实验室，973计划学术委员会或专家组成员等职。

李志坚在清华园已度过了42个春秋。每年4月最后一个星期日——清华大学校庆日，对李志坚来说，这里不仅对校友欢聚的喜悦，更有对其科学成果倍出的欣慰。

当年在列宁格勒大学，他的导师、苏联科学院院士列比捷夫要求他用两年时间补习量子力学、固体物理等基础理论，而李志坚以勤奋的努力仅用半年就通过了这些课程，提前一年半进入了研究课题-薄膜电导和光电导机理及器件研究。他一头扎进实验室，自己设计，创造条件，制造出真空度达10-10托的全玻璃真空系统。他改进的小电流测量设备可测10-15A数量级。这些在当时均属国际最高水平。他还提出了多晶膜粒间电子势垒模型。

回国后，他立即投入清华大学半导体专业的创建工作。他和师生们日以继夜地奋战了一年多，首次在中国用四氧化硅还原法获得了高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。1961年，在国内首次研制成硅合金晶体管。1964年又研制成功硅平面高反压晶体管并着手集成电路的研制。1980年，清华大学微电子所建立，李志坚先后任副所长、所长。80年代，他领导研制出1K、4K、16K、位SARM，8位、16位微处理器和2KEEPROM、通讯专用集成电路等大规模集成电路。1990年，研制成1兆位只读存储器汉字库，第一次使集成度突破百万元件大关。李志坚还从事多项研究课题，取得重要成果，出专著四部。

从事半导体和微电子技术领域的教学和研究。MOS器件物理方面获二次部委科技进步二等奖，VLSI集成技术及电路方面获部委科技进步一等奖四次和国家科技进步二等奖二次，VLSI高速热处理技术获福建发明二等奖。主编《半导体材料硅》和《MOSLSI集成技术》二书，发表论文130余篇。

李志坚 - 参考资料

1、http://www.onjobedu.com/article/famous_sch/1865.html

2、http://www.cuaa.net/cur/xyb/yuanshi/kxjj.jsp?id=562

3、http://www.cas.ac.cn/Html/Dir0/02/34/37.htm