刘明（院士）

1964年4月，刘明出生于江西丰城市，籍贯安徽宿州。

1985年，刘明从合肥工业大学本科毕业，获得学士学位。

1988年，刘明从合肥工业大学硕士研究生毕业，获得硕士学位。

1998年，刘明从北京航空航天大学博士研究生毕业，获得博士学位。

2000年，刘明被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。

2008年，刘明获得国家杰出青年科学基金资助。

2015年7月31日，刘明入选中国科学院院士增选初步候选人名单，12月7日当选中国科学院院士。

2018年1月25日，刘明出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士。

2021年2月4日，任中芯国际第三类独立非执行董事及战略委员会成员。

刘明阐明了阻变存储器机理，建立了相应的物理模型；提出了功能层掺杂和局域电场增强的阻变存储器性能调控方法，提高存储器整体性能；拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理；发展了集成电路的微纳加工技术并拓展到禁运的短波衍射元件研制中。

刘明在国际上首次采用软X射线曝光技术实现了256位分子存储器；在32nm技术节点以下的非挥发性存储器替代方案上，提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器（RRAM）性能和成品率的方法，成为国际上最早提出此概念的两个小组之一，在渐进型的非挥发性存储器替代方案上，着眼于纳米晶浮栅存储结构（Nano-Floating Gate）。

截至2017年7月，刘明发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。

截至2017年7月，刘明在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。

截至2015年12月，刘明先后主持参与了多项国家973、863项目。

截至2017年7月，刘明先后获得国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项和中国科学院杰出成就奖等奖项。

刘明提出：导师应首先做到让学生尊重信赖的人，并建议年轻导师保持乐观的生活和工作态度，学高为师，身正为范。

刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。她建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。（中国科学技术大学国家示范性微电子学院评）